| 07年第2季度，Intel最新的P35系列主板推进DDR3内存进入市场，一方面继续增强其桌面平台高举高打新技术的业内形象，一方面也协助DRAM厂商转战到一个新的、利润较高的产品线内，毕竟成熟进入末期的DDR2 DRAM内存市场低价血战已经让这一行业利润微薄。然而这些都不是玩家们所关心的方向，对于一个典型的DIY高端用户而言，DDR3能够对DDR2形成真正的性能优势才是关键。
以第三方调研机构的预测看，DDR3替代DDR2内存的周期大致也将是DDR2当年更新DDR一样的三年。DDR3的核心优势可以简单归为两点：更高的频率和更低的功耗！对应的，这种新产品也将面临延迟上升的挑战。
面对着这些挑战，晶芯内存的DDR3系列终于要来了。晶芯的1GB DDR3 1066MHz内存即将投放市场。晶芯公司此次研发的DDR3内存，一如既往的具有很好的超频性能，并且是高端游戏玩家们的准备的产品。晶芯DDR3内存使用的来自于尔必达（ELPIDA），型号为J5308BASE-AE-E，此芯片为DDR3-1066_6-6-6型，为DDR3-1066芯片中时序高端的产品。传统的多层绿色PCB板。此款内存还具有良好的兼容性和稳定性。
晶芯1GB DDR3 1066MHz内存使用防静电塑料包装，消费者可以很直观的通过透明外壳看到产品规格和内存颗粒。
晶芯1GB DDR3 1066MHz内存的外观
新一代的晶芯1GB DDR3 1066MHz内存，采用的依旧是传统的多层绿色PCB板。同样秉承了晶芯内存的优秀做工。此款内存适用台式机，工作频率1066MHz，容量1GB，电压1.5-1.9V。
晶芯1GB DDR3 1066MHz内存的颗粒
晶芯1GB DDR3 1066MHz内存使用新一代的ELPIDA颗粒。新颗粒的使用，除了带来更加优异的超频性能之外，稳定性、兼容性也更上一层楼。
作为内存频率上升之路的自然延续，DDR3在DDR2遭遇技术极限的时刻来临。和DDR2一样，它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率，DDR3预读取位数是8bit，因此目前最高DDR3-1600MHz芯片的存储单元频率也仅和DDR2-800及DDR-400的存储单元频率快相当，提升空间非常大。DDR3内存入门级产品比DDR2能达到的最高频率还高，并且理论上有后者最高频率2倍以上的上升空间。
编辑观点：DDR3比较DDR2具有如此多的优势，价格肯定也会超过DDR2产品不少。但是考虑到晶芯内存以往的高性价比定位，相信会继续保持明显的价格优势。这让众多喜欢晶芯内存的用户有足够的耐心等待。
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